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      SiC激光退火設備

      SiC激光退火設備

      產品特點 1.整機模塊化設計與集成,兼容4、6、8英寸薄片晶圓;
      2.集成自研成熟先進激光整形技術,光斑能量高度均勻、穩定;
      3.退火后表面均勻、平整,優秀的電學特性及表面形貌特征表現;
      4.嚴格控制腔體含氧量,有效控制表面碳析出量和分布;
      5.配置監控與補償系統,監測光學能量穩定性和非退火面溫度;
      6.配備EFEM傳輸系統,整機符合SEMI標準,支持SECS-GEM通信。

      產品應用

      適用于對重摻雜碳化硅(SiC)表面沉積的過渡金屬進行退火,形成良好的歐姆接觸。


      展開更多 +

      產品參數

      可加工品圓尺寸
      4inch、6inch、8inch
      薄片退火支持
      光斑整形平頂光
      光斑均勻性>95%
      能量穩定性≤1%
      比電阻接觸率≤5×10^(-5)Ω.cm2
      表面溫度Amnealedgurtece>1500℃.NOn=ann日ledsurlaco<100℃
      腔體含氧量N2/Ar: 99.99%,<100ppm@25s
      運動平臺精度

      直線度:±1μm

      重復定位精度:±1μm

      品圓傳輸

      Automatic transferring

      (compatible to wafer or wafer/w carrier)


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